:: دوره 26، شماره 3 - ( 9-1402 ) ::
جلد 26 شماره 3 صفحات 68-57 برگشت به فهرست نسخه ها
بررسی تاثیر درجه‌بندی شکاف نواری و ضخامت لایه جاذب بر خواص الکتریکی و نوری در سلول‌های خورشیدی CIGS
رضا کیانی* ، مجید فولادیان ، محمد جلال رستگار فاطمی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساوه ، rezak1290@yahoo.com
چکیده:   (428 مشاهده)
در این پژوهش، ما به شبیه‌سازی دقیق سلول‌های خورشیدی CIGS با استفاده از درجه‌بندی شکاف نواری band-gap می‌پردازیم. هدف اصلی ما این است که خواص الکتریکی و نوری این سلول‌ها را بهبود بخشیم. به منظور بررسی عملکرد، تغییر ضخامت لایه جاذب را نیز به عنوان یک عامل کلیدی مورد ارزیابی قرار می‌دهیم. به ویژه، ما به تحلیل تأثیر این تغییرات بر راندمان و ضریب پرشدگی سلول‌ها می‌پردازیم. در سلول‌های خورشیدی معمولی CIGS، راندمان حدود ٪20.8 است که تا به حال دست‌یافته‌ایم. اما با بهره‌گیری از درجه‌بندی شکاف نواری بر روی لایه جاذب و با بهره‌گیری از تکنیک‌های مهندسی در لایه‌های جاذب و بافر، ما به تحسین‌برانگیزترین راندمان تا به حال برابر با ٪33.7 دست یافته‌ایم. این افزایش نتیجه‌ی دستاوردهای موفق در بهینه‌سازی ساختار و خواص سلول‌ها است. به طور خلاصه، مقادیر پارامترهای مهم خروجی برای این سلول‌های پیشرفته شامل بازده ٪33.7، ضریب پرشدگی ٪79، ولتاژ مدار باز 1 میلی‌ولت و جریان کوتاه مدار 40.96 میلی‌آمپر بر سانتی‌متر مربع می‌باشد.
واژه‌های کلیدی: سلول‌های خورشیدی CIGS، درجه‌بندی شکاف نواری، راندمان سلول‌های خورشیدی، ضخامت لایه جاذب .
متن کامل [PDF 641 kb]   (112 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: فن آوري هاي انرژي هاي تجديد پذير
دریافت: 1402/6/15 | پذیرش: 1402/8/14 | انتشار: 1403/9/30


XML   English Abstract   Print



بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.
دوره 26، شماره 3 - ( 9-1402 ) برگشت به فهرست نسخه ها