fa بررسی تاثیر درجه‌بندی شکاف نواری و ضخامت لایه جاذب بر خواص الکتریکی و نوری در سلول‌های خورشیدی CIGS فن آوري هاي انرژي هاي تجديد پذير Renewable Energy Technologies پژوهشي Research <span dir="RTL" lang="AR-SA" style="font-size:11.0pt"><span style="line-height:115%"><span arial="" style="font-family:">در این پژوهش، ما به شبیه‌سازی دقیق سلول‌های خورشیدی </span></span></span><span style="font-size:11.0pt"><span style="line-height:115%"><span calibri="" style="font-family:">CIGS</span></span></span><span dir="RTL" lang="AR-SA" style="font-size:11.0pt"><span style="line-height:115%"><span arial="" style="font-family:"> با استفاده از درجه‌بندی شکاف نواری </span></span></span><span style="font-size:11.0pt"><span style="line-height:115%"><span calibri="" style="font-family:">band-gap</span></span></span><span dir="RTL" lang="AR-SA" style="font-size:11.0pt"><span style="line-height:115%"><span arial="" style="font-family:"> می‌پردازیم. هدف اصلی ما این است که خواص الکتریکی و نوری این سلول‌ها را بهبود بخشیم. به منظور بررسی عملکرد، تغییر ضخامت لایه جاذب را نیز به عنوان یک عامل کلیدی مورد ارزیابی قرار می‌دهیم. به ویژه، ما به تحلیل تأثیر این تغییرات بر راندمان و ضریب پرشدگی سلول‌ها می‌پردازیم. در سلول‌های خورشیدی معمولی </span></span></span><span style="font-size:11.0pt"><span style="line-height:115%"><span calibri="" style="font-family:">CIGS</span></span></span><span dir="RTL" lang="AR-SA" style="font-size:11.0pt"><span style="line-height:115%"><span arial="" style="font-family:">، راندمان حدود </span></span></span><span dir="RTL" lang="AR-SA" style="font-size:11.0pt"><span style="line-height:115%"><span new="" roman="" style="font-family:" times="">٪</span></span></span><span dir="RTL" lang="AR-SA" style="font-size:11.0pt"><span style="line-height:115%"><span arial="" style="font-family:">20.8 است که تا به حال دست‌یافته‌ایم. اما با بهره‌گیری از درجه‌بندی شکاف نواری بر روی لایه جاذب و با بهره‌گیری از تکنیک‌های مهندسی در لایه‌های جاذب و بافر، ما به تحسین‌برانگیزترین راندمان تا به حال برابر با </span></span></span><span dir="RTL" lang="AR-SA" style="font-size:11.0pt"><span style="line-height:115%"><span new="" roman="" style="font-family:" times="">٪</span></span></span><span dir="RTL" lang="AR-SA" style="font-size:11.0pt"><span style="line-height:115%"><span arial="" style="font-family:">33.7 دست یافته‌ایم. این افزایش نتیجه‌ی دستاوردهای موفق در بهینه‌سازی ساختار و خواص سلول‌ها است. به طور خلاصه، مقادیر پارامترهای مهم خروجی برای این سلول‌های پیشرفته شامل بازده </span></span></span><span dir="RTL" lang="AR-SA" style="font-size:11.0pt"><span style="line-height:115%"><span new="" roman="" style="font-family:" times="">٪</span></span></span><span dir="RTL" lang="AR-SA" style="font-size:11.0pt"><span style="line-height:115%"><span arial="" style="font-family:">33.7، ضریب پرشدگی </span></span></span><span dir="RTL" lang="AR-SA" style="font-size:11.0pt"><span style="line-height:115%"><span new="" roman="" style="font-family:" times="">٪</span></span></span><span dir="RTL" lang="AR-SA" style="font-size:11.0pt"><span style="line-height:115%"><span arial="" style="font-family:">79، ولتاژ مدار باز 1 میلی‌ولت و جریان کوتاه مدار 40.96 میلی‌آمپر بر سانتی‌متر مربع می‌باشد.</span></span></span> In this research, we deal with the detailed simulation of CIGS solar cells using band-gap grading. Our main goal is to improve the electrical and optical properties of these cells. In order to check the performance, we also evaluate the change in the thickness of the absorbent layer as a key factor. In particular, we analyze the effect of these changes on the efficiency and filling factor of the cells. In conventional CIGS solar cells, the efficiency is about 20.8% that we have achieved so far. But by taking advantage of the bandgap grading on the absorber layer and by using engineering techniques in the absorber and buffer layers, we have achieved the most impressive efficiency ever of 33.7%. This increase is the result of successful achievements in optimizing the structure and properties of cells. In summary, the values of important output parameters for these advanced cells include 33.7% efficiency, 79% filling factor, 1mV open circuit voltage and 40.96mA/cm2 short circuit current. سلول‌های خورشیدی CIGS , درجه‌بندی شکاف نواری, راندمان سلول‌های خورشیدی, ضخامت لایه جاذب . CIGS solar cells, band gap grading, solar cell efficiency, absorber layer thickness. 57 68 http://necjournals.ir/browse.php?a_code=A-10-2140-3&slc_lang=fa&sid=1 reza kiani رضا کیانی rezak1290@yahoo.com 10031947532846007334 10031947532846007334 Yes دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساوه majid Fouladian مجید فولادیان majidfouladian@gmail.com 10031947532846007335 10031947532846007335 No دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساوه Seyed Mohammad Jalal Rastegar Fatemi محمد جلال رستگار فاطمی jalal.pe77@gmail.com 10031947532846007336 10031947532846007336 No دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساوه