|
مهندسی نقص برای سلول خورشیدی مسطح بازده بالا مبتنی بر پروسکایت سه کاتیونه
|
محمدرضا کلاهدوز اصفهانی*   ، علی ابراهیمی ، راضیه تیموری |
| دانشگاه تهران ، kolahdouz@ut.ac.ir |
|
|
چکیده: (880 مشاهده) |
پارامترهای سلول خورشیدی با ترکیب کردن دو کاتیون آلی فرمامیدینیوم (FA) و متیل آمونیوم (MA) در سایت A از لایه جذب کننده پروسکایت سه کاتیونه و دو آنیونه شامل Br و I در سایت x توسط شبیه‌سازی با نرم‌افزار SCAPS بررسی شده است. ابتدا چگالی نقص لایه پروسکایت از 1013 × 1 تا 1017 × 1 (cm-3) تغییر داده شده و اثر آن بر عملکرد سلول خورشیدی مورد بررسی قرار گرفته است. سپس ضخامت لایه جاذب پروسکایت از 200 تا 1200 نانومتر تغییر کرده و برای چگالی نقص‌های مختلف لایه پروسکایت، نحوه و میزان تغییرات پارامترهای سلول خورشیدی دیده شده است. در مرحله بعد با تغییر چگالی نقص‌های فصل مشترک پروسکایت/ETL از 1011 × 1 تا 1013 × 2 (cm-3)، خازن موجود در فصل مشترک افزایش پیدا کرده که باعث کاهش بازدهی و ضریب‌پرشدگی سلول خورشیدی شده است. در نهایت مقدار طول انتشار حامل‌ها (L) از صفر تا حدود 4 میکرومتر عوض شده است که با افزایش آن، پارامترهای عملکردی سلول خورشیدی افزایش پیدا کرده‌اند.
|
|
| واژه‌های کلیدی: سلول‌خورشیدی، شبیه‌سازی، پروسکایت |
|
|
متن کامل [PDF 950 kb]
(341 دریافت)
|
نوع مطالعه: پژوهشي |
موضوع مقاله:
فن آوري هاي انرژي هاي تجديد پذير
دریافت: 1401/6/20 | پذیرش: 1402/7/18 | انتشار: 1402/3/31
|
|
|
|
|
|
|
| ارسال پیام به نویسنده مسئول |
|
|
|
| ارسال نظر درباره این مقاله |
|
|
|
